本公开实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，所述方法包括：在衬底表面形成堆叠结构以及覆盖所述衬底表面和所述堆叠结构的绝缘介质层；在覆盖所述衬底表面的绝缘介质层中，形成围绕所述堆叠结构的第一沟槽；在所述第一沟槽的顶部形成第二沟槽；其中，所述第二沟槽的底部显露所述第一沟槽，所述第二沟槽的开口宽度大于所述第一沟槽的开口宽度；通过所述第二沟槽的开口，填充所述第一沟槽，形成第一密封结构；填充所述第二沟槽，形成第二密封结构。