本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。使在衬底上形成的膜成为低介电常数膜并抑制基底氧化。半导体器件的制造方法包括：(a)向在表面露出氮化膜及导电性的含金属元素膜中的至少任一基底的衬底供给不含氧化气体的第1处理气体，从而以第1厚度在基底上形成含有硅、碳及氮而不含氧的第1膜的工序，和(b)向衬底供给含有氧化气体的第2处理气体从而在第1膜上以比第1厚度厚的第2厚度形成含有硅、氧及氮的第2膜的工序，在(b)中，来自于从第1膜的表面朝向基底扩散的氧化气体的氧原子由第1膜吸收，使第1膜改质。