本发明公开了一种具有晶体结构检测及原位修复功能的装置，其采用连续激光对半导体薄膜材料的散射光谱进行激发和采集，能够快速、无损地判断半薄膜材料整体及局部区域的晶体质量，然后通过皮秒、飞秒等超短脉冲高能激光束对半导体薄膜材料中晶体质量较差的区域进行辐射，从而激发薄膜材料相应区域中的原子发生重构，最终实现对半导体薄膜材料检测区域晶体结构的原位修复。基于超短脉冲激光作用时间短、热影响范围小、能量密度高的特点，结合气氛及温压条件的控制，该装置能够快速且有针对性地实现大尺寸半导体薄膜材料表面晶格损伤的修复，提高其晶体质量，特别适用于掺杂半导体薄膜材料，能够有效提高其均匀性和晶体质量，优化薄膜的工艺性能。