Invention Publication
- Patent Title: 一种基于双应力加速贮存试验的传感器寿命获取方法
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Application No.: CN202010795677.4Application Date: 2020-08-10
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Publication No.: CN111947703APublication Date: 2020-11-17
- Inventor: 吴凌慧 , 王洪岩 , 李金平 , 张鹏 , 荆志彬 , 浦龙
- Applicant: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- Assignee: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Current Assignee: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
- Agency: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- Agent 杨晓辉
- Main IPC: G01D18/00
- IPC: G01D18/00

Abstract:
一种基于双应力加速贮存试验的传感器寿命获取方法,属于传感器领域,本发明为解决只采用温度单应力进行加速贮存试验来获取传感器寿命,其结果不准确的问题。本发明方法包括以下步骤:步骤一、将传感器进行温湿度双应力加速贮存试验,具体过程为:对传感器施加温湿度双应力使之从自然贮存条件升至设定加速贮存条件,并保持一个循环周期t,然后撤销温湿度双应力,使传感器从设定加速贮存条件降至自然贮存条件,然后对传感器进行通电测试,若性能完好,重复执行本步骤,若无法通过性能测试,则结束试验并执行步骤二;步骤二、按t0=M/AF获取传感器寿命。
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