发明授权
- 专利标题： 一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用
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申请号： CN202010817231.7申请日： 2020-08-14
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公开(公告)号： CN111925799B公开(公告)日： 2021-10-01
- 发明人: 王溯 , 孙红旗 , 季峥 , 刘金霞 , 张怡 , 唐耀宗
- 申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 申请人地址： 上海市松江区思贤路3600号
- 专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 当前专利权人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市松江区思贤路3600号
- 代理机构： 上海弼兴律师事务所
- 代理商 王卫彬; 陈卓
- 主分类号： C09K13/06
- IPC分类号： C09K13/06 ; H01L21/311
摘要：
本发明公开了一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用。该蚀刻液由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：75％‑85％的磷酸、0.1％‑12％的化合物A和3％‑24％的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化物膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。
公开/授权文献
- CN111925799A 一种高选择比蚀刻液、其制备方法及应用 公开/授权日：2020-11-13
