Invention Grant
- Patent Title: 一种纸基底碲化铋基纳米线柔性热电偶型温度传感器的制备方法
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Application No.: CN202010543563.0Application Date: 2020-06-15
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Publication No.: CN111816753BPublication Date: 2022-07-12
- Inventor: 高杰 , 朱思靖 , 苗蕾 , 蔡焕夫 , 赖华俊
- Applicant: 桂林电子科技大学
- Applicant Address: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号花江校区
- Assignee: 桂林电子科技大学
- Current Assignee: 桂林电子科技大学
- Current Assignee Address: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号花江校区
- Agency: 广州科粤专利商标代理有限公司
- Agent 蒋欢妹; 莫瑶江
- Priority: 2019105255527 20190618 CN
- Main IPC: H01L35/34
- IPC: H01L35/34 ; H01L35/32 ; B82Y15/00 ; B82Y40/00
Abstract:
本发明公开了一种纸基底碲化铋基((Bi,Sb)2(Te,Se)3)纳米线柔性热电偶型温度传感器的制备方法，通过设计P型及N型碲化铋基(Bi,Sb)2(Te,Se)3纳米线薄膜的垂直交叉阵列结构使得单位面积上的温度测量节点数大大增加，工艺简单，制备周期短，安全无污染、能耗低，得到的温度传感器响应时间短，灵敏度高，柔性良好。
Public/Granted literature
- CN111816753A 一种纸基底碲化铋基纳米线柔性热电偶型温度传感器的制备方法 Public/Granted day:2020-10-23
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