发明公开
- 专利标题： 半导体器件及其形成方法和工作方法
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申请号： CN201910295393.6申请日： 2019-04-12
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公开(公告)号： CN111816659A公开(公告)日： 2020-10-23
- 发明人: 王楠
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣; 吴敏
- 主分类号： H01L27/11
- IPC分类号： H01L27/11 ; G11C11/417
摘要：
一种半导体器件及其形成方法和工作方法，所述半导体器件包括：基底，所述基底包括第一区，所述第一区基底表面具有第一纳米柱，所述第一纳米柱垂直于基底表面；位于所述第一纳米柱底部和部分基底第一区内的第一源漏掺杂区；环绕所述第一纳米柱的第一栅极结构，所述第一栅极结构位于第一源漏掺杂区上；位于所述第一纳米柱顶部的第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区位于第一栅极结构上。所述半导体器件的占用面积较小，有利于提高半导体器件的集成度。
公开/授权文献
- CN111816659B 半导体器件及其形成方法和工作方法 公开/授权日：2024-09-17
IPC分类:
