发明授权
- 专利标题： 功率半导体器件及其制造方法
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申请号： CN202010488310.8申请日： 2020-06-02
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公开(公告)号： CN111739928B公开(公告)日： 2024-05-31
- 发明人: 张邵华 , 郭广兴 , 杨彦涛
- 申请人： 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号;
- 专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号;
- 代理机构： 北京成创同维知识产权代理有限公司
- 代理商 岳丹丹
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件的栅极导体分别位于沟槽上部的两侧，屏蔽导体位于栅极导体的下方区域，源极电极通过位于栅极导体之间的第二接触孔与屏蔽导体电连接，多个第二接触孔沿沟槽长度方向间隔设置，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。
公开/授权文献
- CN111739928A 功率半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2020-10-02
IPC分类:
