- 专利标题: 一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器
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申请号: CN202010337982.9申请日: 2020-04-26
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公开(公告)号: CN111722707B公开(公告)日: 2021-10-01
- 发明人: 于婷婷 , 孙珂 , 裴彬彬 , 钟鹏 , 杨恒 , 李昕欣
- 申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区长宁路865号
- 代理机构: 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 郝传鑫; 贾允
- 主分类号: G06F3/01
- IPC分类号: G06F3/01
摘要:
本发明涉及传感器技术领域,本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器,该传感器的制作方法包括以下步骤:通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合;利用封装基板的力学支撑作用,对上述封装后待释放触觉传感器进行释放,能够实现超薄传感芯片的转移,在上述释放过程后,超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构,再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺,得到分立的封装后背接触式触觉传感器,从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
公开/授权文献
- CN111722707A 一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器 公开/授权日:2020-09-29