发明授权
- 专利标题: 一种氮化铝膜及其制备方法和应用
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申请号: CN201910197927.1申请日: 2019-03-15
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公开(公告)号: CN111690907B公开(公告)日: 2023-04-18
- 发明人: 黄小辉 , 康建 , 郑远志 , 陈向东
- 申请人: 马鞍山杰生半导体有限公司
- 申请人地址: 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
- 专利权人: 马鞍山杰生半导体有限公司
- 当前专利权人: 马鞍山杰生半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 朱颖; 刘芳
- 主分类号: C23C16/34
- IPC分类号: C23C16/34 ; C30B25/18 ; C30B29/38 ; H01L33/00 ; H01L33/12
摘要:
本发明提供一种氮化铝膜及其制备方法和应用,该制备方法包括以下步骤:1)向反应室通入三甲基铝、氨气以及含有X元素的化合物,在衬底层上生成第一(AlXn)N缓冲层;2)对第一(AlXn)N缓冲层进行退火处理,得到(AlXn)N晶核;3)向反应室通入三甲基铝、氨气以及含有X元素的化合物,Q个(AlXn)N晶核形成第二(AlXn)N缓冲层且生成(AlXm)N层;第二(AlXn)N缓冲层和(AlXm)N层的集合为氮化铝膜;X元素选自镓、铟、铊、硅、锗、锡、铅中的一种或多种。该制备方法能够减少氮化铝膜的表面裂纹,从而获得低位错密度,高晶格质量且无裂纹的氮化铝膜材料。
公开/授权文献
- CN111690907A 一种氮化铝膜及其制备方法和应用 公开/授权日:2020-09-22
IPC分类: