一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有控制栅和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构中形成有沿垂直方向贯穿堆叠结构的栅极隔槽；在栅极隔槽的侧壁和底部表面上形成多晶硅层；在所述多晶硅层的表面上形成无定型硅层，所述无定型硅层填充满所述栅极隔槽；进行退火，将所述无定型硅层转化为多晶硅层，在栅极隔槽中形成阵列共源极。该方法形成的阵列共源极的应力较小，防止了堆叠结构的弯曲或变形。