本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓栅极级联单元，包括功率器件和耗尽型器件，所述功率器件的漏极作为功率器件单元的漏极，功率器件的源极与耗尽型器件的栅极连接，共同作为功率器件单元的源极，功率器件的栅极与耗尽型器件的源极连接，耗尽型器件的漏极作为功率器件单元的栅极，所述功率器件为氮化镓功率器件。本发明还公开了集成氮化镓栅极级联单元的半导体结构。本发明通过将耗尽型器件级联至氮化镓功率器件的栅极的方法，实现对氮化镓功率器件的栅极保护，实现对传统硅器件的直接替代。