本发明涉及一种基于N型掺杂叠层和功能层的发光二极管，包括衬底层；缓冲层，位于衬底层上；N型半导体层，位于缓冲层上；N型掺杂叠层，位于N型掺杂层上，N型掺杂叠层包括若干第一N型掺杂层和若干第二N型掺杂层；量子阱发光层，位于N型掺杂叠层上；功能层，位于所述量子阱发光层上，功能层包括电子阻挡层、第一空穴注入层和第二空穴注入层；P型掺杂层，位于功能层上；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明的发光二极管设置有N型掺杂叠层，可以降低电子的迁移速率，通过调整电子迁移至量子阱发光层的速率，可以提高量子阱发光层中空穴与电子发生辐射复合的概率，从而提高发光二极管的发光效率。