沟槽型功率半导体器件及其制备方法，本发明涉及一种功率半导体器件的结构以及其制造方法，在本发明的屏蔽栅沟槽型场效应管结构中，包含一系列相互平行的沟槽。沟槽中包含栅电极和屏蔽栅电极，两者之间相互隔离，根据栅电极和屏蔽栅电极在沟槽内的结构，可以把沟槽分成三类：用于在栅极正偏时形成导通区域的第一类沟槽、用于连接屏蔽栅电极和源极金属层的第三类沟槽以及位于所述的第一类沟槽和第三类沟槽之间的第二类沟槽。本发明的有益效果在于提供的屏蔽栅沟槽型场效应管结构，利用优化的工艺步骤和特殊的版图设计，解决屏蔽栅电极侧壁拐角处氧化层的厚度问题，防止器件的栅极‑源极漏电，提升器件的性能和良率，确保器件的可靠性。