本发明涉及发光二极管(LED)器件，尤其是微型LED(μLED)器件的技术领域。在该领域中，本发明具体提出了一种用于获得在载体基板上重构的一个或多个LED器件的方法。该方法包括：提供硅基半导体基板作为载体基板，为一个或多个LED器件的每一者提供包括LED层的化合物半导体堆叠，分别将SiCN层施加到堆叠和基板；将堆叠粘合到基板，其中被施加到堆叠的SiCN层和被施加到基板的SiCN层相接触；以及在粘合之后，以等于或高于用于从堆叠完成LED器件的处理温度的温度对经粘合的堆叠和基板进行退火，其中所述温度为至少400℃。