Invention Grant
- Patent Title: 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
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Application No.: CN201880069262.XApplication Date: 2018-10-25
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Publication No.: CN111279468BPublication Date: 2023-10-20
- Inventor: 小桥力也 , 稻男洋一
- Applicant: 琳得科株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 琳得科株式会社
- Current Assignee: 琳得科株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京路浩知识产权代理有限公司
- Agent 张晶; 敖莲
- International Application: PCT/JP2018/039660 2018.10.25
- International Announcement: WO2019/082966 JA 2019.05.02
- Date entered country: 2020-04-23
- Main IPC: H01L23/00
- IPC: H01L23/00 ; B32B27/16 ; C09J7/20 ; C09J7/30 ; C09J133/08 ; C09J11/04 ; C09J11/06 ; H01L21/301 ; H01L21/52 ; H01L23/29 ; H01L23/31
Abstract:
本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。
Public/Granted literature
- CN111279468A 保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 Public/Granted day:2020-06-12
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