- 专利标题: Ti3C2 MXene纳米片材料的制备方法
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申请号: CN202010005941.X申请日: 2020-01-03
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公开(公告)号: CN111153405B公开(公告)日: 2021-08-27
- 发明人: 余俊 , 胡爱玲 , 赵惠忠 , 张寒
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市和平大道947号
- 代理机构: 武汉知产时代知识产权代理有限公司
- 代理商 易滨
- 主分类号: C01B32/921
- IPC分类号: C01B32/921 ; H01M4/587 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种Ti3C2 MXene纳米片材料的制备方法,包括以下步骤:步骤一、将钛铝碳粉体、氢氟酸溶液与十六烷基三甲基溴化铵加入到耐腐蚀容器中,于20~60℃条件下搅拌6~60h,得到CTAB插层Ti3C2混合液;步骤二、将CTAB插层Ti3C2混合液离心处理,水洗至上清液呈中性,过滤取沉淀,得CTAB插层Ti3C2多层材料;步骤三、向CTAB插层Ti3C2多层材料中加入水超声30~120min,冷冻干燥,得到CTAB插层Ti3C2纳米片粉末材料。本发明具有操作条件简单、经济高效的有益效果。
公开/授权文献
- CN111153405A Ti3C2 MXene纳米片材料的制备方法 公开/授权日:2020-05-15