本发明涉及掺钕硼酸锌铋自倍频晶体材料、切型及其制备方法与应用。采用泡生法，通过激活离子Nd3+取代Bi3+进行不同掺杂浓度NdxBi2‑xZnB2O7晶体的生长。本发明还提供上述NdxBi2‑xZnB2O7晶体的应用，采用中心波长为808nm的半导体激光器泵浦，利用NdxBi2‑xZnB2O7晶体的激光和非线性光学性能，获得输出波长为533nm的自倍频绿光输出。该激光器具有结构紧凑、体积小、转化效率高、寿命长和成本低、热导率高等优点，可用于高功率激光器。