发明授权
- 专利标题： 半导体装置的制造方法
- 专利标题（英）： Production method of semiconductor apparatus
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申请号： CN97191078.2申请日： 1997-07-10
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公开(公告)号： CN1110846C公开(公告)日： 2003-06-04
- 发明人: 深泽则雄 , 川原登志实 , 森冈宗知 , 大泽满洋 , 松木浩久 , 小野寺正德 , 河西纯一 , 丸山茂幸 , 竹中正司 , 新间康弘 , 佐久间正夫 , 铃木义美
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 株式会社索思未来
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 183844/1996 1996.07.12 JP; 276634/1996 1996.10.18 JP; 10683/1997 1997.01.23 JP; 181132/1997 1997.07.07 JP
- 国际申请： PCT/JP1997/02405 1997.07.10
- 国际公布： WO1998/02919 JA 1998.01.22
- 进入国家日期： 1998-04-13
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/28 ; B29C43/18
摘要：
一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
公开/授权文献
- CN1198839A 半导体装置的制造方法、半导体装置制造用模具和半导体装置及其装配方法 公开/授权日：1998-11-11
IPC分类:
