Invention Grant
- Patent Title: 一种基于双45°-MgO:LN腔倒空式正交偏振同步脉冲激光生成方法
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Application No.: CN201911402592.9Application Date: 2019-12-31
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Publication No.: CN111082301BPublication Date: 2022-01-14
- Inventor: 白冰 , 李立 , 高正欣 , 张玉兵 , 田凤军 , 崔金辉
- Applicant: 哈尔滨工程大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- Assignee: 哈尔滨工程大学
- Current Assignee: 哈尔滨工程大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
- Main IPC: H01S3/115
- IPC: H01S3/115 ; H01S3/123 ; H01S3/08

Abstract:
本发明属于激光技术领域,具体涉及高功率、高效率和高光束质量的一种基于双45o‑MgO:LN腔倒空式正交偏振同步脉冲激光生成方法。本方法包括如下步骤:激光增益介质3吸收泵浦源2能量后产生非偏振的受激荧光辐射;电光加压式调制器14对双45o‑MgO:LN4施加横向半波电压,控制双45o‑MgO:LN双折射效应将非偏振受激荧光分离成线偏振光即o光和e光,两光束存在较大偏离角,o光和e光完全分离;产生的s偏振光和p偏振光分别进入s光‑偏振腔倒空装置和p光‑偏振腔倒空装置。本方法的优点:单块双45o‑MgO:LN产生的两束偏振光分别进入腔倒空的不同腔型结构,同步输出两束窄脉冲宽度、高峰值功率的正交线偏振光。电光晶体掺杂MgO:LN晶体横向调制,可以增加长度减小厚度降低晶体电压。
Public/Granted literature
- CN111082301A 一种基于双45o-MgO:LN腔倒空式正交偏振同步脉冲激光生成方法 Public/Granted day:2020-04-28
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