- 专利标题: 一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法
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申请号: CN201911310362.X申请日: 2019-12-18
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公开(公告)号: CN110931617B公开(公告)日: 2021-08-13
- 发明人: 王雅欣 , 唐松洁
- 申请人: 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
- 申请人地址: 天津市津南区大沽南路1310号柳林东天津职业技术师范大学
- 专利权人: 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
- 当前专利权人: 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
- 当前专利权人地址: 天津市津南区大沽南路1310号柳林东天津职业技术师范大学
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 曹玉平
- 主分类号: H01L33/40
- IPC分类号: H01L33/40 ; H01L33/42
摘要:
本发明涉及一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法。在GaN基LED的P‑GaN外延膜上设置一层ITO透明导电膜作为复合电极中的透明电极;在透明电极上再设置一层Ti金属缓冲层,在Ti缓冲层上设置Al金属电极层。通过对透明导电膜的工艺参数和厚度的优化,获得导电性和透光性良好的薄膜;复合P电极的金属电极不选用常规的Ni‑Au这样的贵金属和稀有金属,而选择N电极常用的Ti‑Al,通过工艺参数的优化调整,达到和Ni‑Au一样的性能。在保证器件光电学特性稳定的基础上,整体工艺难度降低,材料更加环保,性价比更高,具有广阔的应用前景。
公开/授权文献
- CN110931617A 一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法 公开/授权日:2020-03-27
IPC分类: