- 专利标题： 一种提高光电探测器芯片产出量的制备工艺方法
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申请号： CN201911011361.5申请日： 2019-10-23
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公开(公告)号： CN110808312B公开(公告)日： 2020-11-24
- 发明人: 王权兵 , 王丹 , 徐之韬 , 余沛
- 申请人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地(一期)1栋3层02室03号
- 专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地(一期)1栋3层02室03号
- 代理机构： 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 许美红
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/105
摘要：
本发明公开了一种提高光电探测器芯片产出量的制备工艺方法，首先在外延片上完成欧姆环光刻和腐蚀，并进行SiO2扩散阻挡膜沉积，然后开扩散孔并进行导电介质扩散，导电介质扩散完成后再进行SiNx增透膜沉积，光刻P窗口和解理道，蚀刻P窗口和解理道，并进行退火处理；然后再进行P电极和N电极的制作。本发明可提高制作光电探测器芯片的性能和稳定性，使芯片产出率提高30％以上，大大提高了光电探测器芯片的生产效率，有效节约生产成本。
公开/授权文献
- CN110808312A 一种提高光电探测器芯片产出量的制备工艺方法 公开/授权日：2020-02-18
IPC分类:
