发明授权
- 专利标题: 有源矩阵基板和显示装置
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申请号: CN201880037299.4申请日: 2018-06-04
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公开(公告)号: CN110730984B公开(公告)日: 2021-12-03
- 发明人: 武田悠二郎 , 松木园广志 , 织田明博 , 村重正悟 , 田中耕平
- 申请人: 夏普株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人: 夏普株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京市隆安律师事务所
- 代理商 权鲜枝; 张艳凤
- 优先权: 2017-113268 20170608 JP
- 国际申请: PCT/JP2018/021389 2018.06.04
- 国际公布: WO2018/225690 JA 2018.12.13
- 进入国家日期: 2019-12-05
- 主分类号: G09F9/30
- IPC分类号: G09F9/30 ; G02F1/1368 ; H01L21/336 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L29/786
摘要:
本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有:下部栅极电极,其设置于基板上;栅极绝缘层,其覆盖下部栅极电极;氧化物半导体层,其配置于栅极绝缘层上;源极电极,其与氧化物半导体层的源极接触区域接触;漏极电极,其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触;绝缘层,其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极;以及上部栅极电极,其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时,上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠,并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。
公开/授权文献
- CN110730984A 有源矩阵基板和显示装置 公开/授权日:2020-01-24