一种平坦化工艺方法，包括：提供半导体衬底和金属材料层，金属材料层设置于半导体衬底上方，半导体衬底和金属材料层内形成有金属栅极和侧墙，侧墙形成于金属栅极的两侧壁，金属栅极的第一部分形成于半导体衬底中，金属栅极的第二部分形成于金属材料层中；采用第一研磨工艺研磨金属材料层，或研磨部分侧墙、金属栅极的第二部分，使余下金属栅极的第二部分具有第一高度；和对余下的金属栅极和侧墙实施第二研磨工艺，暴露半导体衬底，第一研磨工艺和第二研磨工艺分别对金属材料层或金属栅极与对侧墙具有研磨速率比。两步工艺研磨金属栅极的第二部分能够很好控制最终金属栅极结构的高度尺寸。