- 专利标题: 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法
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申请号: CN201910824882.6申请日: 2019-09-02
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公开(公告)号: CN110571326B公开(公告)日: 2023-05-19
- 发明人: 李润伟 , 谢卓琳 , 高双 , 叶晓羽 , 公国栋
- 申请人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址: 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
- 专利权人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
- 代理机构: 宁波元为知识产权代理事务所
- 代理商 赵兴华
- 主分类号: H10N50/01
- IPC分类号: H10N50/01 ; H10N50/10
摘要:
本发明提供一种构建磁性原子点接触的方法,采用具有电致电阻转变功能的结构器件,选用导电材料作为电极,选用通过电场作用能够在其中形成磁性纳米导电通道的半导体或绝缘体材料作为介质层,首先在底电极与顶电极之间施加电压,驱动离子氧化还原,形成磁性导电通道;然后,施加反向电压,通过改变电压大小,使导电通道的电导G达到NG0,N为正整数或半正整数,G0为量子化电导,构建得到磁性原子点接触。通过调控电压值构建得到不同尺寸的磁性原子点接触,并且通过调控磁性原子点接触的尺寸调控所述器件的磁电阻大小。
公开/授权文献
- CN110571326A 构建磁性原子点接触的方法与器件磁电阻的调控方法 公开/授权日:2019-12-13