发明公开
- 专利标题: 一种带防护集成旁路二极管的太阳电池及其制作方法
- 专利标题(英): Solar cell with protective integrated bypass diode and manufacturing method thereof
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申请号: CN201910749736.1申请日: 2019-08-14
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公开(公告)号: CN110534601A公开(公告)日: 2019-12-03
- 发明人: 李翛然 , 杨洪东 , 杨广 , 沈斌 , 张闻 , 何昕煜 , 肖瑶 , 郭丽丽 , 陈超奇
- 申请人: 上海空间电源研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路2965号
- 专利权人: 上海空间电源研究所
- 当前专利权人: 上海空间电源研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路2965号
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 张丽娜
- 主分类号: H01L31/0443
- IPC分类号: H01L31/0443 ; H01L31/0216 ; H01L31/18
摘要:
本发明涉及一种带防护集成旁路二极管的太阳电池及其制作方法,属于太阳电池制造技术领域,更为具体的涉及一种带防护集成旁路二极管的太阳电池,以及一种太阳电池阵包括如上所述太阳电池。对电池本体形成减反射层,增大太阳电池的光吸收效率;对二极管边缘形成边缘保护层,避免二极管边缘静电放电和P/N结边缘漏电,提高二极管可靠性;对二极管隔离槽形成保护层,防止互连片联接时互连片接触隔离槽造成二极管短路,提高太阳电池阵的可靠性。
IPC分类: