发明授权
- 专利标题: 多通道并行发射光器件及半导体致冷器
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申请号: CN201910770605.1申请日: 2019-08-20
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公开(公告)号: CN110530056B公开(公告)日: 2021-05-18
- 发明人: 胡百泉 , 李林科 , 林雪枫 , 胡定坤 , 吴天书 , 杨现文 , 张健
- 申请人: 武汉联特科技股份有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号E地块12栋
- 专利权人: 武汉联特科技股份有限公司
- 当前专利权人: 武汉联特科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳大道52号E地块12栋
- 代理机构: 北京汇泽知识产权代理有限公司
- 代理商 代婵
- 主分类号: H01S5/024
- IPC分类号: H01S5/024
摘要:
本发明涉及了一种多通道并行发射光器件及半导体致冷器,半导体致冷器的冷面的面积完全覆盖热面的面积,且热面、冷面呈水平设置时,冷面的边缘与热面的边缘之间具有水平距离,正、负电极固定在冷面的第二表面上。将这种结构的半导体致冷器设置在BOX封装的管壳内,管壳的内壁底面设有用于安装半导体致冷器的凹槽,半导体致冷器的热面固定在凹槽的槽底,半导体致冷器的冷面下端与管壳之间设有绝缘低导热密封圈,使管壳、绝缘低导热密封圈、半导体致冷器的冷面形成一个密闭空间,以达到TEC局部气密的效果,不需要TEC本体进行防水膜,可以保证TEC工作在非气密环境。
公开/授权文献
- CN110530056A 多通道并行发射光器件及半导体致冷器 公开/授权日:2019-12-03