本发明涉及半导体传感器技术领域，更具体地，涉及一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法。包括以下步骤：S1.在n型GaN衬底上生长高阻绝缘的GaN过渡层作为背栅的介质层；S2.在高阻绝缘的GaN过渡层上生长GaN沟道层；S3.在沟道层表面生长AlGaN薄势垒层；S4.沉积欧姆接触电极；S5.生长介质层掩盖电极及接入区只露出顶栅极探测区域。本发明提供的一种双栅结构GaN基pH传感器的制备方法，生长薄势垒AlGaN层，利用氮化硅钝化层覆盖传感区域以外部分提升接入区的二维电子气浓度及迁移率；利用薄势垒层结构，可实现高的跨导，并结合背栅电极与沟道的电容耦合作用，从而获得突破能斯脱极限的探测感度。