本发明提供一种在不每次对工艺腔室进行清洗而对多个硅晶片连续进行单片式外延生长处理时防止背面雾化的产生并且生产率优异的外延硅晶片的制造方法。本发明的外延硅晶片的制造方法包括硅晶片搬入工序、硅外延层形成工序、所述硅晶片的搬出工序以及清洗工序，在重复进行规定次数的一系列生长处理前后进行所述清洗工序，所述一系列生长处理是通过所述搬入工序、所述硅外延层形成工序及所述搬出工序进行的，预先求得所述搬送室内氮气的总置换次数与所述一系列生长处理中的最大处理次数之间的对应关系，并将所述规定次数设定在所述最大处理次数的范围内。