- 专利标题: 一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池及制备方法
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申请号: CN201910554074.2申请日: 2019-06-25
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公开(公告)号: CN110311041B公开(公告)日: 2023-06-13
- 发明人: 诸跃进 , 林鎏金
- 申请人: 宁波大学科学技术学院
- 申请人地址: 浙江省宁波市镇海区庄市街道毓秀路505号
- 专利权人: 宁波大学科学技术学院
- 当前专利权人: 宁波大学科学技术学院
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市镇海区庄市街道毓秀路505号
- 代理机构: 杭州五洲普华专利代理事务所
- 代理商 丁少华
- 主分类号: H10K30/85
- IPC分类号: H10K30/85 ; H10K30/80 ; H10K30/50 ; H10K30/40 ; H10K71/00 ; C01G19/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池及制备方法,包括依次层状分布的导电玻璃层、ZnO修饰层、SnO2电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。利用ZnO修饰层并不是直接对SnO2电子传输层和钙钛矿层的接触面进行修饰,而是反向设置在SnO2电子传输层远离钙钛矿层的一侧,从而对SnO2电子传输层靠近钙钛矿层的表面进行修饰,降低SnO2电子传输层的粗糙度。SnO2电子传输层的粗糙度降低更加进一步增加了钙钛矿的晶粒数量,晶粒之间竞争生长的原因降低了钙钛矿层的粗糙度。同时ZnO修饰层也能直接改善SnO2电子传输层和导电玻璃层之间的界面接触。
公开/授权文献
- CN110311041A 一种ZnO修饰的SnO2基钙钛矿太阳能电池及制备方法 公开/授权日:2019-10-08