- 专利标题： 一种冷备份电路的ESD保护结构及制备方法
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申请号： CN201910228889.1申请日： 2019-03-25
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公开(公告)号： CN110071103B公开(公告)日： 2021-06-08
- 发明人: 吕曼 , 时飞 , 孙永姝
- 申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址： 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 专利权人： 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人： 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址： 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 代理机构： 中国航天科技专利中心
- 代理商 高志瑞
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/06 ; H01L21/8232
摘要：
本发明公开了一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法，其中，该结构包括：P型衬底、P型衬底接触、叉指栅、MOS管源区、MOS管漏区、ESD注入层、第一连接接触孔、第二连接接触孔、第三连接接触孔、第四连接接触孔和硅化金属阻挡层。本发明在解决未接电的备份电路功耗过大，性能退化快的问题的同时，解决冷备份电路的高效率ESD保护的问题。
公开/授权文献
- CN110071103A 一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法 公开/授权日：2019-07-30
IPC分类:
