本发明涉及半导体装置的制造方法。该方法可包括：在具有第一导电层和第二导电层的基板的主面侧形成大直径抗蚀剂图形；基于将大直径抗蚀剂图形用作掩模的蚀刻以在基板中形成大直径凹部，第一导电层在大直径凹部的底部露出；在基板的主面侧形成小直径抗蚀剂图形；并且基于将小直径抗蚀剂图形用作掩模的蚀刻以在基板中形成小直径凹部，其中，在形成所述大直径抗蚀剂图形前，将小直径抗蚀剂图形用作掩模而将所述基板蚀刻至不会露出所述第二导电层的深度；并且然后，通过将大直径抗蚀剂图形用作掩模以进行蚀刻以形成所述大直径凹部，以使得第一导电层在所述大直径凹部中露出，并且同时形成所述小直径凹部以使得所述第二导电层在所述小直径凹部中露出。