一种形成半导体器件的方法，包括：提供工程化衬底，形成耦合至所述工程化衬底的氮化镓层，通过在所述氮化镓层的前表面上形成氮化铝镓阻挡层来形成耦合至所述氮化镓层的沟道区，在所述沟道区的中心部分中形成耦合至所述氮化铝镓阻挡层的栅极电介质层；形成耦合至所述栅极电介质层的栅极接触；在所述沟道区的第一端处形成源极接触；在所述沟道区的第二端处形成通孔，利用导电材料填充所述通孔；形成耦合至所述通孔的漏极接触，移除所述工程化衬底，以暴露所述外延氮化镓层的后表面，并且在所述外延氮化镓层的后表面上形成漏极焊盘。