一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成隔离膜；在所述隔离膜内形成贯穿所述隔离膜厚度的通孔；形成填充满所述通孔的鳍部，所述鳍部顶部与所述隔离膜顶部齐平；去除部分厚度所述隔离膜，剩余所述隔离膜作为隔离层，所述隔离层顶部低于所述鳍部顶部。本发明中，形成所述隔离膜的步骤在形成所述鳍部的步骤之前进行，避免了先形成所述鳍部、后再形成隔离膜导致的所述隔离膜在所述衬底与所述鳍部间的拐角处的填充能力差的问题，有利于提高所述隔离膜的形成质量，进而有助于提高所述隔离层的形成质量，增强所述隔离层的绝缘效果，从而改善半导体结构的性能。