- 专利标题： 磁记录介质、溅射靶、溅射靶的制造方法、以及磁存储装置
- 专利标题（英）： Magnetic recording medium, sputtering target, sputtering target manufacturing method, and magnetic storage apparatus
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申请号： CN201811365060.8申请日： 2018-11-16
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公开(公告)号： CN109979492A公开(公告)日： 2019-07-05
- 发明人: 室伏克己 , 石桥圭孝 , 福岛隆之 , 丹羽和也 , 张磊 , 村上雄二 , 柴田寿人 , 山口健洋 , 徐晨 , 神边哲也 , 茂智雄
- 申请人： 昭和电工株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人： 昭和电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 苗堃; 金世煜
- 优先权： 2017-234838 20171207 JP
- 主分类号： G11B5/716
- IPC分类号： G11B5/716 ; G11B5/851 ; G11B5/82 ; C23C14/34
摘要：
提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
公开/授权文献
- CN109979492B 磁记录介质、溅射靶、溅射靶的制造方法、以及磁存储装置 公开/授权日：2021-01-12
IPC分类:
