Invention Grant
- Patent Title: 一种相控阵校测的方法以及校测装置
-
Application No.: CN201880004203.4Application Date: 2018-04-28
-
Publication No.: CN109952513BPublication Date: 2020-07-28
- Inventor: 葛广顶 , 赵旭波 , 赵德双
- Applicant: 华为技术有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- Assignee: 华为技术有限公司
- Current Assignee: 华为技术有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- Priority: 201710786716.2 2017.09.04 CN
- International Application: PCT/CN2018/085202 2018.04.28
- International Announcement: WO2019/041868 ZH 2019.03.07
- Date entered country: 2019-04-30
- Main IPC: G01R29/10
- IPC: G01R29/10 ; G01R29/08

Abstract:
本申请公开了一种相控阵校测的方法,该方法应用于校测装置,包含第一相控阵和第二相控阵,第一相控阵包含第一射频RF通道,第二相控阵包含第二RF通道,第一RF通道的拓扑结构与第二RF通道的拓扑结构具有镜像对称关系,第二相控阵的辐射阵面与第一相控阵的辐射阵面间隔亚波长距离,通过第二RF通道接收通过第一RF通道发送的耦合信号;根据耦合信号确定第一RF通道对应的幅度偏差值以及相位偏差值;若满足预设误差校正条件,则对第一RF通道所对应的幅度系数与相位系数进行校正;采用目标幅度系数以及目标相位系数测量第一相控阵的性能指标参数。本申请公开了一种校测装置。本申请可以对待测相控阵的全部RF通道进行快速幅相校正,提升检测效率,减小占地面积,降低成本。
Public/Granted literature
- CN109952513A 一种相控阵校测的方法以及校测装置 Public/Granted day:2019-06-28
Information query