发明授权
- 专利标题: 一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用
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申请号: CN201910213499.7申请日: 2019-03-20
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公开(公告)号: CN109942851B公开(公告)日: 2021-12-07
- 发明人: 曹春 , 李伟杰 , 周光大 , 林建华
- 申请人: 杭州福斯特电子材料有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市临安区锦北街道福斯特街8号1幢212
- 专利权人: 杭州福斯特电子材料有限公司
- 当前专利权人: 杭州福斯特电子材料有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市临安区锦北街道福斯特街8号1幢212
- 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 邱启旺
- 主分类号: C08J5/18
- IPC分类号: C08J5/18 ; C08L79/08 ; C08K9/02 ; C08K7/26 ; C08K7/24 ; C08G73/10
摘要:
本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用,包括多孔纳米粒子的氟化过程,氟化多孔纳米粒子与聚酰亚胺前体溶液的杂化过程、杂化体系的成膜过程。多孔纳米粒子为二氧化硅、沸石、MCM‑41及SBA‑15分子筛中的一种或多种。多孔纳米粒子的介电常数较低,通过表面氟化处理后,可以进一步降低其介电常数损耗。将氟化多孔纳米粒子与聚酰亚胺前体溶液复合,可以使氟化多孔纳米粒子在最终聚酰亚胺薄膜中具有良好的分散性,并使得杂化薄膜的介电常数得以降低。上述低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜具有低介电常数、低介电损耗、高机械性能及耐热性能,可以应用5G通信、高速汽车传感系统等高频高速电子电路领域。
公开/授权文献
- CN109942851A 一种低介电常数聚酰亚胺杂化薄膜及应用 公开/授权日:2019-06-28