- 专利标题: 一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用
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申请号: CN201910057914.4申请日: 2019-01-22
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公开(公告)号: CN109888100B公开(公告)日: 2020-09-18
- 发明人: 胡婷 , 付青霞 , 陈义旺 , 谈利承 , 袁凯
- 申请人: 南昌大学
- 申请人地址: 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
- 专利权人: 南昌大学
- 当前专利权人: 九江市柔烁光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 332020 江西省九江市共青城市光氢储产业园内
- 代理机构: 南昌新天下专利商标代理有限公司
- 代理商 施秀瑾
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42 ; H01L51/48 ; H01L51/46
摘要:
一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用,铷掺杂氧化镍薄膜的制备:将四水合醋酸镍和醋酸铷按一定的比例溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中,在室温下搅拌过夜成绿色铷掺杂氧化镍前驱体溶液;将铷掺杂氧化镍前驱体溶液旋涂于ITO玻璃衬底上,随后两次不同温退火,制备出铷掺杂氧化镍薄膜。反向平面钙钛矿太阳能电池结构各层由下至上依次为:ITO、铷掺杂的氧化镍、钙钛矿、PCBM、BCP、银。本发明具有更好的导电性和空穴迁移率,且能够减少镍的缺陷,进而有助于空穴的提取;在铷掺杂的氧化镍薄膜上生长的钙钛矿薄膜晶粒尺寸更大。具有更高的光电转换效率和更好的稳定性。
公开/授权文献
- CN109888100A 一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用 公开/授权日:2019-06-14
IPC分类: