发明公开
- 专利标题： MOSFET以及电力转换电路
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申请号： CN201680088772.2申请日： 2016-11-11
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公开(公告)号： CN109729743A公开(公告)日： 2019-05-07
- 发明人: 新井大辅 , 北田瑞枝
- 申请人： 新电元工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 专利权人： 新电元工业株式会社
- 当前专利权人： 新电元工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 代理机构： 上海德昭知识产权代理有限公司
- 代理商 郁旦蓉
- 国际申请： PCT/JP2016/083610 2016.11.11
- 国际公布： WO2018/087899 JA 2018.05.17
- 进入国家日期： 2019-02-26
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/40 ; H01L29/06 ; H01L29/08
摘要：
本发明的MOSFET100的特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114、p型柱形区域116、基极区域118、以及源极区域120，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构；沟槽122，具有侧壁以及底部；栅电极126，经由栅极绝缘膜124形成在沟槽122内；载流子补偿电极128，位于栅电极126与沟槽122的底部之间；绝缘区域130，将载流子补偿电极128与侧壁以及底部分离；以及源电极132，在与源极区域120电气连接的同时也与载流子补偿电极128电气连接。根据本发明的MOSFET100，即便栅极周围的电荷平衡存在变动，也能够将关断MOSFET后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。
公开/授权文献
- CN109729743B MOSFET以及电力转换电路 公开/授权日：2021-12-28
IPC分类:
