本发明提供了一种氮化铝自支撑衬底及其制备方法，涉及半导体技术领域。在制作快速生长高温氮化铝层时，在氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料快速合拢，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以形成大量的空洞，这些空洞可以减少快速生长高温氮化铝层和低温氮化铝层之间的接触面积，使快速生长高温氮化铝层和氮化铝厚膜在晶格失配和热失配应变的作用下可以同其他层自分离，得到自支撑衬底。高密度、小尺寸的空洞有利于释放应变防止表面开裂，提供了位错中止的自由面降低贯穿位错密度，得到位错密度很低的自支撑衬底。该方法分离工序简单，成品率高，可实现高质量氮化铝自支撑衬底的大规模产业化。