本发明提供一种具有电磁干扰屏蔽的半导体封装结构及其制造方法。封装结构包括：重布线结构、电磁干扰屏蔽结构和多个芯片。电磁干扰屏蔽结构具有侧壁框部和顶部层，侧壁框部直接形成于重布线结构上的金属垫上。制造方法包括：形成重布线结构，在重布线结构上的金属垫上沉积侧壁框部，模封并减薄塑封体以露出侧壁框部的顶端，沉积金属以形成电磁干扰屏蔽结构的顶部层。本发明的电磁干扰屏蔽结构，其侧壁框部的下方未采用焊料连接的方式，而是直接形成于金属垫之上，避免了焊料爬升、焊料内部孔洞以及焊料渗入到重布线结构内部而造成的短路。