- 专利标题: 一种碳化硅陶瓷磨削后微裂纹的原位弥合方法
- 专利标题(英): In-situ repairing method of microcracks generated after silicon carbide ceramic is ground
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申请号: CN201811507889.7申请日: 2018-12-11
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公开(公告)号: CN109627045A公开(公告)日: 2019-04-16
- 发明人: 邬国平 , 肖清 , 谢方民 , 吴晃菊 , 林超
- 申请人: 宁波伏尔肯科技股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市鄞州投资创业中心金源路666号
- 专利权人: 宁波伏尔肯科技股份有限公司
- 当前专利权人: 宁波伏尔肯科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市鄞州投资创业中心金源路666号
- 代理机构: 杭州橙知果专利代理事务所
- 代理商 陈凌霄
- 主分类号: C04B41/86
- IPC分类号: C04B41/86 ; C04B41/87
摘要:
本发明公开了一种碳化硅陶瓷磨削后微裂纹的原位弥合方法,其特征在于:将磨削加工完成的碳化硅陶瓷进行加热升温,使其碳化硅陶瓷的表面和裂纹的表面发生氧化反应,在碳化硅陶瓷的表面以及裂纹的表面形成用于填充并粘接裂纹并弥合磨削加工留下的表面裂纹的玻璃相弥合膜。该方法能在短时间内通过表面氧化、快速形成连续、致密玻璃相弥合膜填充并粘接裂纹来弥合磨削加工留下的表面裂纹,从而提高材料强度。
公开/授权文献
- CN109627045B 一种碳化硅陶瓷磨削后微裂纹的原位弥合方法 公开/授权日:2021-07-20