- 专利标题: 一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构及其制备方法
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申请号: CN201910090081.1申请日: 2019-01-29
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公开(公告)号: CN109581559B公开(公告)日: 2021-02-02
- 发明人: 张昭宇 , 袁牧锋 , 崔雨舟
- 申请人: 香港中文大学(深圳)
- 申请人地址: 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道2001号
- 专利权人: 香港中文大学(深圳)
- 当前专利权人: 香港中文大学(深圳)
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙岗区龙城街道龙翔大道2001号
- 代理机构: 北京超凡志成知识产权代理事务所
- 代理商 逯恒
- 主分类号: G02B5/18
- IPC分类号: G02B5/18 ; G03F1/80 ; G03F7/00 ; B82Y20/00 ; B82Y40/00
摘要:
一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构,涉及光学器件领域,其包括多孔硅基底,以及多个光栅纳米结构单元。光栅纳米结构单元的形状均为四角双锥,一半埋于多孔硅基底内,一半暴露于多孔硅基底之外。该四角双锥形状的光栅纳米结构单元,能在空气和器件之间提供更加渐进的有效折射率分布,进而提高器件的光灵敏度、光能采集率等。一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构的制备方法,其操作简单,对设备要求不高,可以及其方便地用于上述四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构的制备。
公开/授权文献
- CN109581559A 一种四角双锥阵列组成的双光栅纳米结构及其制备方法 公开/授权日:2019-04-05