Invention Grant
CN109453792B 一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法
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Application No.: CN201811398430.8Application Date: 2018-11-22
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Publication No.: CN109453792BPublication Date: 2019-12-24
- Inventor: 王姝 , 杨文龙 , 姜久兴 , 赵波 , 张光宇 , 贺训军
- Applicant: 哈尔滨理工大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Agency: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- Agent 张金珠
- Main IPC: B01J27/051
- IPC: B01J27/051 ; B01J35/02 ; B01J33/00

Abstract:
一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法,属于光化学能转换、光催化降解领域。本发明要解决在过氧化氢诱导的强氧化性光芬顿反应中,对硫化物的腐蚀可能加剧的技术问题。本发明方法:一、将α‑Fe2O3纳米颗粒加入到去离子水中,搅拌,然后依次加入Na2MoO4·2H2O和CH4N2S,超声震荡,升温后保温,无水乙醇洗涤3次后离子水洗涤3次,干燥,得到Fe2O3/MoS2;二、将步骤一获得的Fe2O3/MoS2分散于混合溶液中,超声震荡,然后在室温下搅拌使TEOS完全水解,取沉淀物,真空干燥,得到硫化物异质结材料。本发明用于光化学能转换、光催化降解领域。
Public/Granted literature
- CN109453792A 一种在光芬顿反应中抗光腐蚀的硫化物异质结材料的制备方法 Public/Granted day:2019-03-12
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