Invention Grant
- Patent Title: 用于超声探头的压电块体和超声阵列探头及其制备方法
-
Application No.: CN201710744624.8Application Date: 2017-08-25
-
Publication No.: CN109427956BPublication Date: 2022-11-25
- Inventor: 陈燕 , 黄智文 , 林国豪 , 戴吉岩
- Applicant: 香港理工大学深圳研究院
- Applicant Address: 广东省深圳市南山区高新园南区粤兴一道18号香港理工大学产学研大楼205室
- Assignee: 香港理工大学深圳研究院
- Current Assignee: 香港理工大学深圳研究院
- Current Assignee Address: 广东省深圳市南山区高新园南区粤兴一道18号香港理工大学产学研大楼205室
- Agency: 深圳中一专利商标事务所
- Agent 高星
- Main IPC: H01L41/08
- IPC: H01L41/08 ; B06B1/06

Abstract:
本发明适用于医疗器械技术领域,提供了一种用于超声探头的压电块体,包括阵列排布的多个压电阵元,压电阵元设有上表面和下表面,上表面和下表面均设有电极,上表面相对下表面倾斜使压电阵元的厚度均匀渐变,多个压电阵元按照相同的厚度变化趋势并列排布,使多个压电阵元的上表面形成斜面,使多个压电阵元的下表面形成底面。本发明的压电块体由多个厚度均匀渐变的压电阵元形成,使压电块体的厚度均匀渐变,压电阵元的厚度影响机电耦合系数,进而影响谐振频率及带宽,由于压电阵元的厚度逐渐变薄,因此引起谐振频率的渐变,使得带宽增大。且谐振频率处阻抗值会变小,更接近50欧姆的电学匹配电阻,有利于灵敏度的提高,提升了成像质量。
Public/Granted literature
- CN109427956A 用于超声探头的压电块体和超声阵列探头及其制备方法 Public/Granted day:2019-03-05
Information query
IPC分类: