发明授权
CN109216518B 抗静电LED芯片制备方法及其应用
失效 - 权利终止
- 专利标题： 抗静电LED芯片制备方法及其应用
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申请号： CN201710521464.0申请日： 2017-06-30
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公开(公告)号： CN109216518B公开(公告)日： 2020-06-12
- 发明人: 杨晓隆 , 王怀兵 , 王辉
- 申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号
- 专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
- 当前专利权人： 苏州新纳晶光电有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号
- 代理机构： 南京苏科专利代理有限责任公司
- 代理商 陈忠辉
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/14 ; H01L33/36 ; H01L33/00
摘要：
本发明提供了一种抗静电LED芯片，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。本发明通过增加电容区，当电压超过器件最大范围时，电容区将自动收集静电电荷，避免LED芯片或外延片受到冲击，损坏LED器件。
公开/授权文献
- CN109216518A 抗静电LED芯片制备方法及其应用 公开/授权日：2019-01-15
IPC分类:
