所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100)，所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102)，所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)在第一模式中操作以将控制电压信号(GC1)递送到所述第一晶体管(101)，且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管(101)相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路(102)以从所述第一晶体管(101)传导汇点电流(12)以影响控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管(101)。