本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极，在上述磁隧道结和覆盖层之间形成扩散阻挡层。并且，本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极。上述种子层由使上述合成交换半磁性层向面心立方结构(111)方向形成的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，上述磁隧道结包括形成于两个自由层之间的插入层，上述分离层、插入层及覆盖层的至少一个由体心立方结构的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，上述合成交换半磁性层分别包括一个磁性层及非磁性层。