发明公开
- 专利标题： 发光二极管的保护膜的沉积方法
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申请号： CN201780029143.7申请日： 2017-05-16
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公开(公告)号： CN109155343A公开(公告)日： 2019-01-04
- 发明人: 李洪宰 , 金宗焕 , 沈愚泌 , 李愚嗔 , 尹星然 , 李敦熙
- 申请人： TES股份有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中部大路2374-36
- 专利权人： TES股份有限公司
- 当前专利权人： TES股份有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面中部大路2374-36
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 马爽; 臧建明
- 优先权： 10-2016-0060938 2016.05.18 KR
- 国际申请： PCT/KR2017/005043 2017.05.16
- 国际公布： WO2017/200255 KO 2017.11.23
- 进入国家日期： 2018-11-12
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; C23C16/452 ; C23C16/34 ; H01L33/02 ; C23C16/40 ; C23C16/455
摘要：
本发明是有关于一种发光二极管的保护膜沉积方法，上述保护膜沉积方法包含于基板的发光二极管的上部通过原子层沉积制程沉积第一保护膜的步骤；以及于上述第一保护膜的上部通过化学气相沉积制程沉积至少一个追加保护膜的步骤。
公开/授权文献
- CN109155343B 发光二极管的保护膜的沉积方法 公开/授权日：2021-06-01
IPC分类:
