一种高电源抑制比耗尽基准电压源
摘要:
本发明提出一种高电源抑制比耗尽基准电压源,包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5,M6、M7和电阻R1以及电容C1,将耗尽型NMOS管M3产生的电流作用到增强型NMOS管M4上,产生增强管M4的VGS,在传统耗尽基准的基础上,使用耗尽型NMOS管M1、M2、M3和M5、M6、M7两组三级套筒耗尽管结构,提高了电压基准的电源抑制比,扩展了高电源抑制比频率范围,并在此基础上设计了软启动电路,达到了基准电压上电平缓的目的。
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