发明授权
- 专利标题: 一种高电源抑制比耗尽基准电压源
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申请号: CN201810827327.4申请日: 2018-07-25
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公开(公告)号: CN108983858B公开(公告)日: 2020-01-10
- 发明人: 李宇 , 张洪俞 , 于圣武
- 申请人: 南京微盟电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号徐庄软件园1号楼4层
- 专利权人: 南京微盟电子有限公司
- 当前专利权人: 南京微盟电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市玄武区玄武大道699-8号徐庄软件园1号楼4层
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 奚幼坚
- 主分类号: G05F1/56
- IPC分类号: G05F1/56
摘要:
本发明提出一种高电源抑制比耗尽基准电压源,包括NMOS管M1、M2、M3、M4、M5,M6、M7和电阻R1以及电容C1,将耗尽型NMOS管M3产生的电流作用到增强型NMOS管M4上,产生增强管M4的VGS,在传统耗尽基准的基础上,使用耗尽型NMOS管M1、M2、M3和M5、M6、M7两组三级套筒耗尽管结构,提高了电压基准的电源抑制比,扩展了高电源抑制比频率范围,并在此基础上设计了软启动电路,达到了基准电压上电平缓的目的。
公开/授权文献
- CN108983858A 一种高电源抑制比耗尽基准电压源 公开/授权日:2018-12-11
IPC分类: